石磊

教育背景及工作经历

2015年：毕业于北京工业大学，获微电子学与固体电子学专业博士学位。

2015年：入职上海第二工业大学。

2022-2023年：赴多伦多大学（University of Toronto）纳米制造中心从事访问学者研究。

现任：集成电路学院副教授。

研究领域

长期致力于电子器件、集成电路及可靠性分析。重点聚焦宽禁带半导体器件领域，在GaN高电场迁移率器件方面取得系列创新成果，并针对SiC功率器件的热敏感电参数及测温技术进行了系统性深入研究。

荣誉奖励

第二届全国青年教师电子技术、电子线路授课竞赛华东赛区二等奖。

上海第二工业大学校优秀学业导师。

科研项目

主持及参与多项省部级纵向课题与重点横向研发项目：

纵向项目：主持河南省科技攻关项目、上海市教育科学研究项目；深度参与国家自然科学基金及北京市自然科学基金项目研发。

横向与工程应用：主持“红外测量变温平台改装”、“界面热分布压力温度调节系统”等横向项目多项。

项目成果应用：作为核心成员，与北京卫星制造厂、北京理工大学协作完成“星载功率 VDMOS 器件性能退化研究”项目，相关成果已成功应用于星载电源系统。

授权专利

半导体器件负载短路状态下导通冲击装置和冲击方法，2022，第一发明人。

半导体器件导通状态下负载短路冲击装置、冲击系统和冲击方法，2021，第一发明人。

主要论文

长期深耕宽禁带半导体及可靠性研究，在 IEEE Electron Device Letters、IEEETransactions on Power Electronics 等电子器件领域顶级期刊发表多项代表性成果。研究方向涵盖：

l  GaN 器件物理机制与退化机理：

深入研究了不同栅极电压应力下 AlGaN/GaN HEMT 的主导退化机制变化（发表于 IEEE EDL）。

探讨了在开启状态及直流反向阶跃电压应力下器件的退化与恢复特性（发表于 Chin. Phys. B、ACTA PHYSICA SINICA）。

l  功率器件精密测温技术：

基于脉冲信号导通延迟进行功率 MOSFET 结温测量的方案（发表于 IEEE TPE）。

研究成果在GaN 高电场迁移率晶体管退化失效机制以及 SiC 功率器件精密测温技术方面具有一定的行业影响力。